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    沈奇摩擦了整整一下午，反复念叨这两字。

    看似没有什么目的性，沈奇随手点开了电脑中的ADF软件，找到GaN晶体的模拟分子结构图，它像是一张墙纸，严格遵守对称性排列规则，白球代表钙原子，黑球代表氮原子，纵横交错，无限延伸。

    沈奇操作鼠标，鼠标在鼠标垫上摩擦。

    对GaN的量子点进行TDDFT计算，可以得到GaN量子点的紫外-可见吸收光谱。

    光谱曲线非常明显，GaN在300-1500nm之间有五个不同吸收强度的吸收峰，其中心位于401nm处的最强吸收峰主要来自HOMO-11→LUMO（95%）的电子跃迁。

    “摩擦摩擦，膨胀坍塌。”

    沈奇切回GaN晶体的平面分子结构示意图，模拟实验计算结果验证了GaN中的混合位错。

    位错的滑移沿着位错线和伯格斯矢量所构成的平面运动，位错的攀移由位错的边缘半原子平面作膨胀或收缩来实现。

    顺着这个思路进行发散，基于二维晶格OFC模型在0≤α≤1/4情况下的动力学，沈奇本能的做出一个数学计算。

    计算的依据来自具有狄利克雷边界条件的定常纳维-斯托克斯方程。

    目前只能假定N-S方程成立，上百年来，科学家们皆是假定N-S方程成立，得出了大量的理论研究成果，并运用到实际中。

    如果N-S方程不成立，那么飞机怎能翱翔天空？

    N-S方程在大自然中时刻演绎，只不过人们无法求得它的数学解。

    沈奇的思维一直在跳跃，从半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料氮化镓，跳跃到N-S方程。

    两种看似毫无关联的存在，在凝聚态物理复杂性原理的穿插下，摩擦，摩擦。

    因为毫无关联，所以计算量极其巨大。

    沈奇计算到深夜，忘记了吃饭，忘记了回家。

    独守空闺的欧叶一个电话打过来：“几点回家？”

    “哦，回家，12点了。”沈奇抱着一堆草稿纸，回到教职工宿舍。

    “很忙呢？”欧叶将7点就煲好的鸡汤热一热，搁在餐桌上。
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